半导体中的电子状态
1.1 半导体的晶格结构和结合性质
1.2 半导体中的电子状态和能带
1.3 半导体中电子的运动 有效质量
1.4 本征半导体的导电机构 空穴
1.5 回旋共振
1.6 常见半导体的能带结构
半导体中杂质和缺陷能级
2.1 半导体中的杂质能级
2.2 缺陷与缺陷能级
半导体中载流子的统计分布
3.1 状态密度
3.2 费米能级和载流子的统计分布
3.3 本征半导体的载流子浓度
3.4 杂质半导体的载流子浓度
3.5 一般情况下的载流子统计分布
3.6 简并半导体
半导体的导电性
4.1 载流子的漂移运动和迁移率
4.2 载流子的散射
4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
4.5 强电场下的效应 热载流子
4.6 多能谷散射 耿氏效应
非平衡载流子
5.1 非平衡载流子的注入与复合
5.2 非平衡载流子的寿命
5.3 准费米能级
5.4 复合理论
5.5 载流子的扩散运动
5.6 载流子漂移扩散 爱因斯坦关系式
5.7 连续性方程式
pn结
6.1 pn结及其能带图
6.2 pn结电流电压特性
6.3 pn结电容
6.4 pn结击穿
金属和半导体的接触
7.1 金属半导体接触及其能级图
7.2 金属半导体接触整流理论
7.3 少数载流子的注入和欧姆接触
半导体表面与MIS结构
8.1 表面态
8.2 表面电场效应
8.3 MIS结构的C-V特性
8.4 硅-二氧化硅系统的性质
8.5 表面电导及迁移率