半导体物理实验
半导体物理实验
1000+ 人选课
更新日期:2025/06/30
开课时间2023/10/01 - 2024/11/15
课程周期59 周
开课状态已结课
每周学时-
课程简介

   《半导体物理实验》是微电子科学与工程以及集成电路设计与集成系统专业的重要专业实验课程之一。该课程的主要研究对象为半导体材料,半导体因其导电能力随外界条件改变而变化,在各种微电子器件,集成电路,太阳能电池以及各类传感器等不同领域中得到广泛的应用。通过该实践课程的学习,可以进一步加深学生对半导体理论知识和概念,特别是物理现象的理解,使学生更好的掌握半导体物理学的思想方法和研究方法以及实验技术;通过本课程中实验系统的搭建、实验方案的设计以及实验仪器的操作和调试,进一步培养学生的创新实践动手能力;课程中对各项物理参数的测量和计算,对各种物理现象的观测,可以加强学生在实验基础上的理论计算和归纳总结的能力,并借此过程培养其严谨的科学态度,使学生熟练掌握微电子行业中设计,分析,研究与制造等相关复杂工程问题中所涉及到的半导体材料参数的测量,表征和物理现象的验证等实验方法。

课程大纲
《单晶硅非平衡少子寿命的测量》
1.1 实验背景
1.2 实验原理
1.3 实验内容
1.4 实验设备
1.5 实验操作
1.6 实验误差分析
《PN结的直流特性测试与分析》
1.1背景介绍
1.2 实验目的
1.3 实验原理
1.4 实验内容与步骤
1.5 数据处理与分析
《霍尔效应》
1.1 霍尔效应的发展历史
1.2 霍尔效应的应用
1.3 霍尔效应的基本原理
1.4 霍尔效应的负效应
《芯片中PN结的观察与显微观测》
1.1 实验背景
1.2 实验原理
1.3 实验内容与操作
1.4 实验结果分析
PN结的显示与结深测量
1.1 实验背景
1.2 实验原理
1.3 实验内容与操作
1.4 实验结果分析