集成电路工艺技术
集成电路工艺技术
5000+ 人选课
更新日期:2025/06/07
开课时间2022/10/17 - 2023/01/09
课程周期12 周
开课状态已结课
每周学时-
课程简介

《集成电路工艺技术》课程,是高等学校电子科学与技术专业、集成电路相关专业本科生的一门专业核心课程。集成电路学科是一门近几十年迅猛发展起来的重要新兴学科,是计算机、通讯、电子技术、自动化技术等信息科学的基础,而集成电路工艺主要讨论集成电路的制造、加工技术以及制造中涉及的原材料的制备,是现今超大规模集成电路得以实现的技术基础,与现代信息科学有着密切的联系。本课程的目的和任务:通过半导体工艺的学习,使学生了解半导体集成电路制造技术的基本理论、基本知识、基本方法;对半导体器件和半导体集成电路制造工艺及原理有一个较为完整和系统的概念。了解集成电路制造相关领域的新技术、新设备、新工艺,使学生具有一定工艺分析和设计以及解决工艺问题和提高产品质量的能力。并为后续相关课程奠定必要的理论基础,为学生今后从事半导体集成电路的生产、制造和设计打下坚实基础。

课程大纲
导论
 1.1集成电路发展历史
 1.2集成电路发展回顾
半导体材料
2.1集成电路工艺简介
  2.2集成电路的成品率
  2.3无尘室技术
  2.4集成电路工艺间基本结构
  2.5集成电路测试与封装
  2.6集成电路未来发展趋势
集成电路中的器件技术
3.1半导体基本概念
  3.2半导体基本元器件
  3.3集成电路芯片
  3.4集成电路基本工艺
  3.5互补型金属氧化物晶体管
硅晶圆的制备
4.1简介
  4.2为什么使用硅材料
  4.3晶体结构与缺陷
  4.4晶圆生产技术
  4.5外延硅生长技术
  4.6衬底工程
CMOS工艺的基本流程
5.1晶圆制备
  5.2浅槽隔离
  5.3阱区形成
  5.4晶体管形成
  5.5局部互连
  5.6钝化和连接垫区
氧化工艺
6.1氧化工艺的应用
  6.2氧化前的清洗工艺
  6.3氧化生长速率
  6.4干氧氧化工艺
  6.5湿氧氧化工艺
  6.6高压氧化工艺
  6.7氧化层测量技术
  6.8氧化工艺的发展趋势
介质薄膜淀积
7.1简介
  7.2化学气相沉积
  7.3电介质薄膜的应用
  7.4电介质薄膜特性
  7.5电介质CVD工艺
  7.6化学气相沉积工艺发展趋势
金属化工艺
8.1简介
  8.2导电薄膜
  8.3金属薄膜特性
  8.4金属化学气相沉积
  8.5物理气相沉积
  8.6铜金属化工艺
  8.7安全性
 
光刻工艺
9.1简介
  9.2光刻胶
  9.3光刻工艺
  9.4光刻技术的发展趋势
  9.5安全性
刻蚀工艺
10.1刻蚀工艺简介
  10.2刻蚀工艺基础
  10.3湿法刻蚀工艺
  10.4等离子体(干法)刻蚀工艺
  10.5等离子体刻蚀工艺
  10.6刻蚀工艺发展趋势
离子注入
11.1简介
  11.2离子注入技术简介
  11.3离子注入技术硬件设备
  11.4离子注入工艺过程
  11.5安全性
  11.6离子注入技术发展趋势
化学机械平坦化
12.1简介
  12.2CMP硬件设备
  12.3CMP研磨浆
  12.4CMP基本理论
  12.5CMP工艺过程
  12.6CMP工艺发展趋势
集成电路封装
13.1简介
  13.2集成电路封装材料
  13.3集成电路封装过程
  13.4集成电路封装发展趋势