第一章半导体器件基本方程
1半导体器件基本方程
第二章PN结
2.1平衡PN结空间电荷区和内建电势
2.2平衡PN结空间电荷区的电场分布和宽度
2.3平衡PN结的能带图与空间电荷区载流子分布
2.4外加偏压下PN结载流子运动
2.5理想的PN结直流电流电压特性
2.6势垒区复合产生电流对PN结直流IV特性的影响
2.7准费米能级与非平衡态PN结能带图
2.8大注入对直流特性的影响
2.9PN结的击穿电压
2.10PN结的势垒电容
2.11PN结的扩散电容
2.12PN结的开关特性
【单元作业】半导体器件基本方程及PN结的基本知识
【单元测验】半导体器件基本方程及PN结的基本知识
第三章双极结型晶体管
3.1双极型晶体管基础
3.2均匀基区晶体管的电流放大系数
3.3缓变基区晶体管的电流放大系数
3.4双极型晶体管的电流电压方程
3.5双极型晶体管的反向特性
3.6基极电阻
3.7电流放大系数与频率的关系
3.8高频小信号电流电压方程与等效电路
3.9功率增益和最高震荡频率
【单元测验】双极型晶体管
【单元作业】双极型晶体管
第四章绝缘栅新场效应晶体管
4.1MOSFET基础
4.2MOSFET的阈电压
4.3MOSFET的直流电流电压方程
4.4MOSFET的亚阈区导电
4.5MOSFET的直流特性和温度特性
4.6MOSFET的小信号交流参数
4.7短沟道效应
4.8MOSFET的发展方向
【单元测验】MOSFET
【单元作业】MOSFET