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第一章绪论
绪论
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●1.1微电子产业概况
微电子产业概况
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●1.2微电子产业的特点
微电子产业的特点
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●1.3微电子产业的发展和就业情况
微电子产业的发展和就业情况
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第二章硅的基本特性
硅的基本特性
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●2.1硅的结构特点
硅的结构特点
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●2.2单晶硅的缺陷
单晶硅的缺陷
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第三章硅单晶的制备
硅单晶的制备
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●3.1多晶硅的制备
多晶硅的制备
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●3.2单晶硅的制备
单晶硅的制备
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第四章去离子水的制备和污染控制
去离子水的制备和污染控制
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●4.1去离子水制备
去离子水的制备
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●4.2超净间污染控制
超净间污染控制
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第五章硅的热氧化工艺
硅的热氧化工艺
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●5.1二氧化硅的性质、用途及热氧化工艺
二氧化硅的性质、用途及热氧化工艺
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●5.2热氧化原理
热氧化原理
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●5.3氧化过程中涉及的细节问题
氧化过程中涉及的细节问题
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●5.4热氧化工艺的质量检测及所需设备
热氧化工艺的质量检测及所需设备
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第六章扩散工艺
扩散工艺
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●6.1扩散的基本概念和杂质扩散机制
扩散的基本概念和杂质扩散机制
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●6.2扩散的形式
扩散的形式
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●6.3扩散的方法
扩散的方法
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●6.4扩散质量检测
扩散的质量检测
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第七章离子注入工艺
离子注入工艺
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●7.1离子注入的优缺点
离子注入的优缺点
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●7.2离子注入系统
离子注入系统
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●7.3离子注入工艺参数
离子注入工艺参数
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●7.4损伤的修复
损伤的修复
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第八章淀积工艺
淀积工艺
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●8.1薄膜的基本情况
薄膜的基本情况
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●8.2物理气相淀积
物理气相淀积
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●8.3化学气相淀积
化学气相淀积
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第九章刻蚀工艺
刻蚀工艺
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●9.1刻蚀的基本概念和参数
刻蚀的基本概念和参数
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●9.2刻蚀方法
刻蚀方法
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第十章光刻工艺
光刻工艺
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●10.1光刻工艺简介
光刻工艺简介
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●10.2光刻工艺步骤
光刻工艺步骤
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●10.3光刻机简介
光刻机简介
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●10.4不同类型光刻机
不同类型光刻机
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第十一章抛光工艺
抛光工艺
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●11.1CMP的基本情况
CMP的基本情况
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●11.2CMP的设备构成
CMP的设备构成
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●11.3CMP工艺
CMP工艺
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第十二章互连工艺
互连工艺
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●12.1金属化简介
金属化简介
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●12.2Al互连在金属化中的应用
AI互连在金属化中的应用
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●12.3Cu互连在金属化中的应用
Cu互连在金属化中的应用
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●12.4其他互连材料
其他互连材料
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第十三章封装工艺
封装工艺
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●13.1封装的基本概念、主要方法与材料
封装的基本概念、主要方法与材料
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●13.2IC的封装流程
IC的封装流程
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第十四章工艺集成
工艺集成
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●14.1CMOS晶体管制造基本流程
CMOS晶体管制造基本流程
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●14.2集成电路制造工艺发展存在的问题
集成电路制造工艺发展存在的问题
